基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ２ＣＷ２９７０～３０１５型硅电压调整二极管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970～3015 |
| 中标分类： | 矿业 >> 矿业综合 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂 |
| 起草人： | 于志贤、刘东才 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 11页 |
适用范围
本规范规定了2CW2970~3015型的型（标准极性）硅电压调整二极管（以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉的规定，提供产品保证的三企等级(GP，GT和GCT级).
前言
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目录
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引用标准
GB 6571-1986 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 矿业 矿业综合 技术管理